بسته جامع پژوهشی ساخت VCO با C,L ساخته شده با REMEMS

این بسته پژوهشی مجموعه کاملی از آخرین پژوهش های انجام شده در زمینه ساخت VCO با C,L ساخته شده با REMEMS است. در تدوین این بسته از جدیدترین مقالات و پایان نامه های موجود در این زمینه استفاده شده است. مخاطبان این بسته دانشجویان تحصیلات تکمیلی و پژوهش گرانی هستند که قصد فعالیت در این زمینه دارند.

  • در فصل اول این پژوهش طراحی و شبیه سازی نوسان ساز کنترل شونده بررسی شده است
  • در فصل دوم این پژوهش ساخت VCO با C,L ساخته شده با REMEMS بررسی شده است
  • در فصل سوم این پژوهش طراحی و ساخت سیتی سایزر بررسی شده است

تکنولوژی شبکه حسگر بیسیم یکی از حوزه های تحقیقاتی در علم مخابرات و کامپیوتر و پزشکی است که باعث بهبود کیفیت زندگی انسان شده است. تلاش های بی وقفه محققان برای پیشرفت سیستم های میکروالکترومکانیکی و فن آوری های ارتباطی، این امکان را میدهد که گره های حسگر ارزان با اندازه ی کوچکتر و هوشمندی بیشتر تولید کنند. یک شبکه بیسیم متصل به بدن شبکه حسگری با کاربردی خاص است که به گونه ای طراحی شده تا بصورت خود گردان عمل کند تا حسگر ها و برنامه های پزشکی مختلفی را که در داخل یا خارج از بدن انسان قرار گرفته به هم متصل کند. است. موسسه طراحی قطعات ریز کاشتنی برای ثبت اطلاعات بیماران مانند ضربان قلب و فشار خون از مهمترین موضوعات تحقیقاتی در حوزه پزشکی شده FCC به تازگی باند 082-085MHZ را برای فراهم کردن ارتباط بی سیم چنین قطعات کاشتنی داخل بدن برای بیماران اختصاص داده است. باند فرکانسی فوق به نام باند MISC شناخته شده است. یک مدار فرستنده وگیرنده شبکه حسگر بی سیم برای باند MISC دارای ساختاری شبیه شکل. است که یکی از بخش های آن نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ است

قسمت هایی از فصل اول طراحی و شبیه سازی نوسان ساز کنترل شونده

امـروزه، تکنولـوژي CMOS بـراي پیـاده سـازي مـدارات مجتمع RF بطور گسترده اي مورد استفاده قرار می گیرد. نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ (VCO) مجتمع یکی از مهمترین بلـوك هاي ساختاري در فرستنده گیرنده هاي RF می باشد. امـروزه بـا افزایش روزافزون تقاضا براي طراحی وساخت مداراتی با فرکانس نوسان بـالاتر، نـویز فـاز کمتـر و مصـرف تـوان پـایینتر مواجـه هستیم، زیـرا عملکـرد نـویز فـاز بـه طـور مسـتقیم روي میـزان اطلاعاتی که می توان در یک ارتباط ارسال یا دریافت کرد تـأًثیر می گذارد. کاهش نویز فاز مدار همیشه با افـزایش مصـرف تـوان همراه است و برعکس. بنابراین نویز فاز و مصرف توان در طراحی VCO در نقطه مقابل یکـدیگر خواهنـد بـود، بـه همـین دلیل طراحی نوسان سازهایی با نویز فاز کم و مصرف توان پایین قابل توجه خواهد بود

فهرست کامل فصل اول طراحی و شبیه سازی نوسان ساز کنترل شونده

1-1 ) تحلیل و طراحی یک اسیلاتور بسیار کم نویز تکنولوژي در CMOS

1.1.1 چکیده 1
2.1.1 مقدمه 1
3.1.1 ساختار نوسان ساز بسیار کم نویز بر مبناي مدار تشدید مرتبه چهار 2
4.1.1 مدار تشدید مرتبه چهار 3
5.1.1 تحلیل نویز فاز اسیلاتور با مدار تشدید مرتبه چهار 4
6.1.1 محاسبه ي نویزفاز ناشی از تلفات تانک سري 6
7.1.1 محاسبه ي نویزفاز ناشی از نویز ترانزیستورهاي اتصال ضربدري 7
8.1.1 مقایسه ساختار پیشنهادي با ساختار متداول 8
9.1.1 نتیجه گیری 10
10.1.1 منابع 10

1-2 ) طراحي و شبيه سازي نوسانگر كنترل شده با ولتاژ (VCO) با استفاده از سلف فعال ديفرانسيلي در فركانس مركزي 2.84GHZ

1.2.1 چکیده 13
2.2.1 مقدمه 13
3.2.1 ساختار مدار پيشنهادي 13
4.2.1 تجزيه و تحليل مدار 14
5.2.1 طراحی مدار 15
6.2.1 شبیه سازی 16
7.2.1 نتیجه گیری 17
8.2.1 منابع 17

1-3 ) نوسانساز متعامد تفاضلی LC با نویز و مصرف توان کاهش یافته

1.3.1 چکیده 19
2.3.1 مقدمه 19
3.3.1 نوسان ساز پیشنهادای 20
4.3.1 نتیجه گیری 21
5.3.1 منابع 21

1-4 ) نوسان ساز کنترل شده باولتاژ چهار_باندکم نویز بااستفاده از تشدیدکننده مرتبه4قابل استفاده درکاربردهایDCS-DECT-WLAN-WIMAX

1.4.1 چکیده 22
2.4.1 مقدمه 22
3.4.1 تشدیدکننده مرتبه 4 23
4.4.1 تحلیل غیرخطی نوسان مرتبه 4 24
5.4.1 سویچ فرکانسی 25
6.4.1 محاسبات نویز نوسان 26
7.4.1 نتایج شبیه سازی 28
8.4.1 نتیجه گیری 31
9.4.1 منابع 31

1-5 ) طراحی یک نوسان ساز کنترل شده باولتاژ CMOSبارنج میزان سازی پهن ویک سلف فعال قابل تنظیم تفاضلی

1.5.1 چکیده 33
2.5.1 مقدمه 33
3.5.1 ساختار مدار پیشنهادی 33
4.5.1 تجزیه و تحلیل مدار 34
5.5.1 طراحی مدار 36
6.5.1 نتایج آزمایشگاهی 37
7.5.1 نتیجه گیری 37
8.5.1 منابع 37

1-6 ) نوسان ساز کولپیتز تفاضلی با نویز فاز کم و مصرف توان پایین

1.6.1 چکیده 40
2.6.1 مقدمه 40
3.6.1 نوسان ساز طراحی شده 41
4.6.1 نتایج شبیه سازی 42
5.6.1 نتیجه گیری 42
6.6.1 منابع 43

1-7 ) طراحی و شبیه سازی نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ (VCO) با نویز فاز کم و مصرف توان پایین در تکنولوژی CMOS 0.81 ΜM در باند MIS

1.7.1چکیده 44
2.7.1 مقدمه 44
3.7.1 ساختار مدار پیشنهادی 45
4.7.1 نتایج شبیه سازی 47
5.7.1 نتیجه گیری 49
6.7.1 منابع 49

1-8 ) نوسان ساز VCO براساس روش سویچینگ سینوسی

1.8.1 چکیده 50
2.8.1 مقدمه 50
3.8.1 روش سویچینگ سینوسی 50
4.8.1 طرح نوسان ساز سویچینگ سینوسی 53
5.8.1 شبیه سازی نوسان ساز 54
6.8.1 نتیجه گیری 55
7.8.1 منابع 55

1-9 ) شبیه سازي و مقایسه دو نمونه SRAM شش ترانزیستوري ساخته شده توسط ترانزیستورهاي CNTFET و MOSFET

1.9.1 چکیده 56
2.9.1 مقدمه 56
3.9.1 مدار SRAMمورد بررسی 58
4.9.1 توصیف الگوریتم بکاررفته 59
5.9.1 روند شبیه سازی 59
6.9.1 نتیجه گیری 61
7.9.1 منابع 61

1-10 ) طراحی و ساخت فرستنده وگیرنده FSK با نرخ بیت متغیر

1.10.1 چکیده 63
2.10.1 مقدمه 63
3.10.1 معرفی آی سی 74HC4046 64
4.10.1 سخت افزار فرستتنده گیرنده 65
5.10.1 نرم افزار فرستتنده گیرنده 67
6.10.1 نتیجه گیری 69
7.10.1 منابع 69

i

ارجاع دهی و رفرنس نویسی

تمام مطالب این بسته مطابق با استاندارد های دانشگاههای وزارت علوم ایران رفرنس دهی شده اند و هیچ قسمتی از بسته وجود ندارد که بدون منبع باشد.

نگارش گروهی

در نگارش و جمع آوری این بسته آموزشی کارشناسان مربوطه ما را همراهی کرده اند.کار گروهی بستر بهتری برای پژوهش فراهم میکند.

<

معرفی منبع برای ادامه پژوهش

در این بسته بیش از 1000 مقاله و منبع در این زمینه معرفی شده است که می توان از آنها برای ادامه مسیر پژوهشی استفاده کرد.

Z

پاسخ به سوالات و پشتیبانی علمی

در قسمت دیدگاه ها  اماده پاسخگویی به سوالات احتمالی شما در حد توان علمی خود هستیم.در صورت نیاز شماره تماس برای ارتباط با محققین برای شما ارسال می گردد.

بخش هایی از فصل دوم ساخت VCO با C,L ساخته شده با REMEMS

نوسان سازهاي LC ، با استفاده از عناصر خازن وسلف ساخته مي شوند . مقدار اين خازن وسلف است كه در حالت تشديد، فركانس نوسان را مشخص مي كنند (شكل6-1) . براي تغيير فركانس در VCO، خازن مدار تشديد كننده را متغير در نظر مي گيرند كه به آن وركتور گويند.براي تداوم نوسان از يك مدار فعال به عنوان يك مقاومت منفي استفاده مي كنند تا مقاومت مثبت ناشي شده از خازن و سلف غير ايده آل را خنثي نمايد.در واقع نوسان ، از تبادل پيوسته انرژي بين ميدان الكتريكي در خازن و شار مغناطيسي در سلف حاصل مي شود.
مزيت ونقص نوسان ساز LC:
نوسان ساز LC بهترين انتخاب براي سامانه هاي RF هستند زيرا در مقايسه با نوسان ساز مولتي ويبراتور و نوسان ساز حلقه اي داراي نويز فاز كمتري هستند. اين به علت تعداد المانهاي زياد در نوسان ساز هاي غير تشديدي ست كه نويز را در مدار افزايش مي دهد.

فهرست کامل فصل دوم ساخت VCO با C,L ساخته شده با REMEMS

2-1) ساخت VCO با L وC ساخته شده با MEMS R RF

چکیده 81
مقدمه 82
1.1.2 فصل اول مباني نوسان و نوسان سازها 83
1.1.1.2 اهميت نوسان سازها در سيستم هاي ارتباطي 84
2.1.1.2 علت ايجاد نوسان 84
3.1.1.2 انواع نوسان سازها 85
4.1.1.2 توپولوژي هاي نوسان ساز LC: 87
5.1.1.2 محاسبه ماكزيمم دامنه نوسان در فركانس پايه 90
6.1.1.2 محاسبه مقاومت منفي يك زوج ديفرانسيلي 91
7.1.1.2 محاسبه تبديل مقاومت سري در مدار به مقاومت موازي معادل 93
8.1.1.2 محاسبه ضريب كيفيت معادل سلف و خازن 94
9.1.1.2 مدهاي عملكردي نوسان ساز 94
10.1.1.2 توپولوژي مكمل براي نوسان ساز MOS 95
11.1.1.2 مدل و ويژگي هاي نوسان ساز كنترل شده با ولتاژ(VCO) 97

2.1.2 فصل دوم نویزفاز 99
1.2.1.2 مقدمه 100
2.2.1.2 تاثيرات نويز فاز در فرستنده و گيرنده 101
3.2.1.2 منابع نويز در مدار 102
4.2.1.2 توصيف كيفي نويز فاز 105
5.2.1.2 نحوه تأثير منابع نويز در طيف نويز فاز 108
6.2.1.2 مدل نويز فاز ليسون از منظر رياضي 110
7.2.1.2 مدل نويز فاز خطي و متغيير با زمان حاجي ميري 114

3.1.2 فصل سوم طراحي خازن و سلف MEM 116
1.3.1.2 مقدمه 117
2.3.1.2 مدل سازي خازن 119
3.3.1.2 شبيه سازي عملي يك خازن در ADS 126
4.3.1.2 سلف MEMS 129
5.3.1.2 محاسبه ميزان اندوكتانس سلف 130
6.3.1.2 شبيه سازي سلف در ADS بصورت EM 131
7.3.1.2 شبيه سازي عملي يك سلف 132

4.1.2 فصل چهارم طراحي و شبيه سازي VCO 135
1.4.1.2 منبع جريان كسكود 136
2.4.1.2 انتخاب جريان ITAIL 139
3.4.1.2 طراحي زوج هاي PMOS و NMOS توپولوژي مكمل 142
4.4.1.2 خازن وركتور(متغيير) 144
5.4.1.2 دستور العمل طراحي 145
6.4.1.2 اولین طراحی 145
7.4.1.2 طراحی دوم 148

5.1.2 فصل پنجم نتیجه گیری و پیشنهادات 152
1.5.1.2 نتیجه گیری 154
2.5.1.2 پیشنهادات 154
3.5.1.2 پیوست ها 156
4.5.1.2 منابع 161

تعداد صفحه بسته آموزشی

تعداد منابع معرفی شده برای ادامه کار

تعداد پشتیبانان مخصوص این فایل

قسمت هایی از فصل سوم طراحی و ساخت سیتی سایزر

VCO يكي از بخشهاي مهم مدارات RF در بخش گيرنده و فرستنده است. با ورود فركانس هاي بالاتر از چند گيگا هرتز در ارتباطات و شبكه هاي بي سيم ، اهميت اين عنصر بيش از پيش شده است. از طرف ديگر براي كوچك سازي وسايل ارتباطي، طراحان مدارات RF به سوي يك پارچه سازي همه عناصر در يك تراشه گام برداشته اند. محدوديتهاي توان و كيفيت بالا از ضرورياتي است كه در يك پارچه سازي مدارات بايد در نظر داشت.RF MEMS يكي از راههاي جديد و مناسب براي يكپارچه سازي و توان مصرفي كم است كه مد نظر طراحان قرار گرفته است و توان بالقوه و بالفعل براي بالاتر بردن كيفيت ارتباطات بي سيم را دارد . در اين راستا به يكي از كاربرد هاي RF MEMS براي طراحي VCO در اين پايان نامه خواهيم پرداخت.

فهرست کامل فصل سوم طراحی و ساخت سیتی سایزر

3-1 ) طراحی وساخت سینتی سایزر 1.7GHZ_1.9GHZبافواصل 100KHZ

چکیده 166
مقدمه 166
1.1.3 فصل اول حلقه قفل فاز(PLL) 166
1.1.1.3 مقدمه 166
2.1.1.3 حلقه های قفل ساز 167
3.1.1.3 توصیف عملکرد PLL 167
4.1.1.3 فیلتر حلقه 167
5.1.1.3 اسیلاتور کنترل شده باولتاژ(VCO) 167

2.1.3 فصل دوم واحدکنترل 168
1.2.1.3 مقدمه 168
2.2.1.3 مروری برخانواده MCS-51 168

3.1.3 فصل سوم طراحی ساخت 168
1.3.1.3 بلوک دیاگرام سیستم 168
2.3.1.3 بخش PLL 169
3.3.1.3 بخش VCO 169
4.3.1.3 طراحی فیلتر حلقه 170
5.3.1.3 طراحی بخش کنترل وپروسسور 170
6.3.1.3 منابع 173

%

میزان رضایت

میزان رضایت افراد خریدار این بسته بعد از خرید

(نظر سنجی به وسیله ایمیل و یک هفته بعد ازخرید بسته انجام می گیرد)

تمام منابع معرفی شده هم به صورت فایل Word و هم به صوت فایل PDF در اختیار شما قرار می گیرد.

تومان35,000افزودن به سبد خرید

0دیدگاه ها

ارسال یک دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *