بسته جامع پژوهشی تاثیر توزیع ناخالص های بستر برعملکرد ترانزیستور MOSFET

این بسته پژوهشی مجموعه کاملی از آخرین پژوهش های انجام شده در زمینه تاثیر توزیع ناخالص های بستر برعملکرد ترانزیستور MOSFET است. در تدوین این بسته از جدیدترین مقالات و پایان نامه های موجود در این زمینه استفاده شده است. مخاطبان این بسته دانشجویان تحصیلات تکمیلی و پژوهش گرانی هستند که قصد فعالیت در این زمینه دارند.

  • در فصل اول این پژوهش معرفی ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی بررسی شده است
  • در فصل دوم این پژوهش تاثیر توزیع ناخالص های بستر برعملکرد ترانزیستور MOSFET بررسی شده است
  • در فصل سوم این پژوهش تاثيرات چگونگي توزيع ناخالصي ها در كانالSOL- MOSFET بررسی شده است

صنعت ساخت قطعات الكترونيك پيشرفتهاي قابل توجهي از نظر سرعت و قابليت عملكرد و هزينه داشته است اين نتايج ناشي از كوچك نمودن ابعاد ترانزيستور بوده است. ولي در عين حال مشكلات زيادي در كاهش مستمر ابعاد ترانزيستور بوجود مي آيد. برخي از اين آثار عبارتند از اثرات كانال كوتاه DIBL ، پيچش ولتاژ آستانه . اين آثار موجب اختلال در عملكرد ترانزيستور مي شوند. بنابراين فهم محدوديتهاي تغيير مقياس و راههاي كاهش اثرات كانال كوتاه براي ما اهميت دارد.

قسمت هایی از فصل اول معرفی ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی

چند نكته در اينجا قابل ذكر است. نخست آنكه استفاده از شبيه سازيهاي TCAD مزاياي بسياري دارد. به گونه اي كه پيش بيني نسبتا دقيقي از آلايش بستر و پروفيل آلايش ترانزيستورهاي شبيه سازي شده را قبل از آنكه ساخته شود ممكن مي سازد. بعلاوه امكان آنرا بوجود مي آورد كه عملكرد بسياري از ترانزيستورها را با هم مقايسه كنيم. تطبيق نتايج حاصله با نتايج تجربي باعث صرفه جويي زيادي در هزينه و زمان طراحي مي شود. بعلاوه اين روش شبيه سازي امكان بررسي كميت هاي داخلي ترانزيستور را كه امكان آزمايش آنها عملا وجود ندارد فراهم مي آورد.
همچنين ميدانيم يكي از جنبه مهم در طراحي هر ترانزيستور معيارهاي مورد استفاده براي مقايسه ترانزيستورهاي مختلف است. چند معيار متداول مثل ولتاژ آستانه و منحنيهاي Ion-Ioff با هم مقايسه مي شوند.
همچنين تاثير مدلهاي قابليت حركت مورد بررسي قرار مي گيرند. در اين فصل با فرض آنكه آلايش كانال ترانزيستورها يكنواخت است و نيز اينكه آلايش سورس / درين را ميتوان به صورت ساده با تابع نمائي در جهات افقي و عمودي تعريف كرد، كار را شروع مي كنيم. اين مفروضات رامجدداً در بخشهاي بعدي مورد مطالعه قرار مي دهيم. اين روش به ما كمك مي كند كه تاثير جنبههاي مختلف طراحي ترانزيستور بر رفتار آنرا حذف كنيم و به فهم درستي ازمطالعه تاثير آلايش بستربرسيم.

فهرست کامل فصل اول معرفی ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی

1-1 ) معرفی ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی برای کاهش جریان نشتی

2.1.1 خلاصه 1
2.1.2 مقدمه 1
2.1.3 ساختار افزاره 2
2.1.4 روش شبیه سازی 4
2.1.5 نتایج شبیه سازی ومباحث 6
2.1.6 نتیجه گیری 13
2.1.7 مراجع 13

i

ارجاع دهی و رفرنس نویسی

تمام مطالب این بسته مطابق با استاندارد های دانشگاههای وزارت علوم ایران رفرنس دهی شده اند و هیچ قسمتی از بسته وجود ندارد که بدون منبع باشد.

نگارش گروهی

در نگارش و جمع آوری این بسته آموزشی کارشناسان مربوطه ما را همراهی کرده اند.کار گروهی بستر بهتری برای پژوهش فراهم میکند.

<

معرفی منبع برای ادامه پژوهش

در این بسته بیش از 1000 مقاله و منبع در این زمینه معرفی شده است که می توان از آنها برای ادامه مسیر پژوهشی استفاده کرد.

Z

پاسخ به سوالات و پشتیبانی علمی

در قسمت دیدگاه ها  اماده پاسخگویی به سوالات احتمالی شما در حد توان علمی خود هستیم.در صورت نیاز شماره تماس برای ارتباط با محققین برای شما ارسال می گردد.

بخش هایی از فصل دوم تاثیر توزیع ناخالص های بستر برعملکرد ترانزیستور MOSFET

بازهم منحني ولتاژ آستانه برحسب طول كانال براي يك فناوري خاص را درنظر بگيريد. دربسياري ازموارد طراحي ترانزيستورهاوقتي طول كانال كاهش داده ميشود، قبل از ظهور مشخـصههـاي پـيچش ولتاژ آستانه، ولتاژ آستانه ترانزيستور كانال n مثبتتر ميشود (درشكل 1-2 با +V∆ نشان داده شده) ولتاژ آستانه ترانزيستور كانال p منفي تر ميشود. اين پديده به نـام اثـر كانـال كوتـاه معكـوس ناميـده مي شود.
يكي از دلائل رفتار كانال كوتاه معكوس ايجاد نقصها در بلور سيليكان است. زيرا تأثيرات متقابـلسورس/ درين با كانال در هنگام كاشت يوني سورس و درين ، نقصهاي موضعي درلبه كانال بـه بـار ميآورد. اين امر باعث افزايش ضريب نفوذ ناخالصيهاي بستر و حركـت ايـن ناخالـصيها بـه سـمت نقص هاي موضعي در لبه هاي كانال و در نتيجه افزايش آلايش كانال در نزديكي ناحيه لبه كانال (شكل b1-6) و در نتيجه افزايش ولتاژ آستانه ميشود

فهرست کامل فصل دوم تاثیر توزیع ناخالص های بستر برعملکرد ترانزیستور MOSFET

2-1) تاثیر توزیع ناخالصی های بستر برعملکرد ترانزیستور MOSFET با آلایش های گون درسورس ودرین

2.1.1 بررسي تاثير تغيير مقياس بر عملكرد ترانزيستور ونحوه آلايش در بخش هاي مختلف ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته 29
2.1.1.1 تغيير مقياس ترانزيستور وقانونمور 30
2.1.1.2 روش تحقیق 30
2.1.1.3 زمینه وسازماندهی 32
2.1.1.4 مسائل مهم درطراحي ترانزيستورهاي تغييرمقياس يافته 33
2.1.1.5 پارامترهاي موردنياز در طراحي ترانزيستورها و تغيير مقياس آنها 33
2.1.1.6 پارامترهاي كليدي در طراحي ترانزيستورها 34
2.1.1.7 تعریف ولتاژ آستانه 35
2.1.1.8 تئوری مرتبه اول تغییر مقیاس درترانزیستور MOS 36
2.1.1.9 اثرات مرتبه دوم درابعاد زیرمیکرون عمیق 37
2.1.1.10 اثرات کانال کوتاه 38
2.1.1.11 پیچش ولتاژ آستانه به لحاظ اثرات کانال کوتاه 39
2.1.1.12 کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین 40
2.1.1.13 اثرات کانال کوتاه معکوس 42
2.1.1.14 مقاومت سورس/درین 44
2.1.1.15 اثرات مکانیک کوانتومی 45
2.1.1.16 اثرات کوانتیزه شدن بار 46
2.1.1.17 جریان تونل زنی درگیت 49
2.1.1.18 طارحی ترانزیستور دررژیم زیرمیکرون عمیق 50
2.1.1.19 مهندسی کانال 50
2.1.1.20 آلایش Super Retrograde 50
2.1.1.21 آلایش هاله گون 51
2.1.1.22 مهندسی سورس/درین 53
2.1.1.23 طراحی فناوری ساخت قطعات نیمه هادی به کمک کامپیوتر 55
2.1.1.24 فرآیند صنعتی طراحی ترانزیستورها 56
2.1.1.25 طراحی ترانزیستور به کمک کامپیوتر 57
2.1.1.26 مشکلات طراحی به کمک کامپیوتر 59
2.1.1.27 اندازه گیری 60
2.1.1.28 مدلهای فزیکی 61
2.1.1.29 مدلهای فرایند 61
2.1.1.30 مدلهای قابلیت حرکت 61
2.1.1.31 اثرات مکانیک کوانتومی 63
2.1.1.32 خلاصه 63
2.1.2 بررسي مهندسي كانال و آلايش هاله گون در ترانزيستور هاي تغيير مقياس يافته 65
2.1.2.1 مهندسی کانال با آلایش Retrograde 67
2.1.2.2 مقایسه آلایش SSRW و آلایش یکنواخت دربستر 68
2.1.2.3 عملکرد ساختاری SSRW 76
2.1.2.4 آلایش هاله گون 77
2.1.2.5 ساختار وعملکرد آلایش هاله گون 81
2.1.3 بهينه سازي آلايش هاله گون در سورس و درين 83
2.1.3.1 تاثيرانرژي و زاويه كاشت آلايش هاله گون بر روي حاملهاي داغ در ترانزيستورهاي MOS با ابعاد کوچکتر از 25/0 میکرون 85
2.1.3.2 حامل های داغ 86
2.1.3.3 تاثیر تغییر زاویه کاشت آلایش هاله گونه برروی پدیده حامل های داغ 86
2.1.3.4 تاثیر تغییر انرژی کاشت آلایش هاله گونه برروی پدیده حاملهای داغ 93
2.1.3.5 تاثير تغيير زاويه و انرژي كاشت آلايش هاله گونه بر روي پديده حاملهاي داغ 97
2.1.3.6 بررسي تاثير حاملهاي داغ بر عملكرد ترانزيستورهاي داراي آلايش هاله گون با تغيير ميـزان ناخالصی در آلایش LDD وآلایش هاله گون 100
2.1.3.7 برسی اثر LDD و halo برعملکرد ترانزیستور 101
2.1.3.8 تاثیر دوز کاشت LDD و halo برتوان مصرفی 112
2.1.3.9 نتیجه گیری 116
2.1.4 بررسی شبیه سازی ونتایج حاصل از آن 118
2.1.4.1 شبیه سازی دوترانزیستور nmos با طول موثر کانال 1/0 میکرومتر و 90 نانومتر 119
2.1.4.2 مقایسه منحنی های ID-VD و ID-VG 119
2.1.5 نتیجه گیری وپیشنهاد برای ادامه پروژه 128
2.1.5.1 نتیجه گیری 129
2.1.5.2 پیشنهادات 130
2.1.5.3 منابع وماخذ 131
2.1.5.4 ABSTRACT 138

تعداد صفحه بسته آموزشی

تعداد منابع معرفی شده برای ادامه کار

تعداد پشتیبانان مخصوص این فایل

قسمت هایی از فصل سوم تاثيرات چگونگي توزيع ناخالصي ها در كانالSOL- MOSFET

تكنولوژي ساخت قطعات الكترونيكي تمايل به ساخت افزاره هايي با ابعاد كوچكتر دارد، اما با كاهش ابعاد ترانزيستورها پديده هايي رخ مي دهد كه عملكرد ترانزيستور را تحت تاثير قرار مي دهد. هنگامي كه ابعاد ترانزيستور به كمتر از 100nm كاهش مي يابد، اثرات كانال كوتاه ظاهر مي شود. اين پديده ها، مدل سازي، كاربرد و حتي ادوات را تحت تاثير قرار مي دهد. از طرفي به دليل حجم كم كانال ترانزيستور، تعداد كل اتم هاي ناخالصي بسيار كم مي شود، بطوري كه فرض توزيع يكنواخت ناخالصي ها در زير گيت نادرست خواهد بود. بدين سان به دليل توزيع تصادفي ناخالصي هاي زير گيت، ولتاژ آستانه ترانزيستور تا حدي غيرقابل پيش بيني خواهد بود. اگر چه ساخت تعداد زيادي ترانزيستور و اندازه گيري ولتاژ آستانه آنها امكان پذير است. اما اين فرايند بسيار پر هزينه است

فهرست کامل فصل سوم تاثيرات چگونگي توزيع ناخالصي ها در كانالSOL- MOSFET

3-1 ) تاثيرات چگونگي توزيع ناخالصي ها در كانالSOL- MOSFET

3.1.1 چکیده 140
3.1.2 Abstract 140
3.1.3 مقدمه 141
3.1.4 مدل مورد استفاده 141
3.1.5 شبیه سازی 141
3.1.6 تغییرات ناخالصی دوبعدی 142
3.1.7 تغییرات ناخالصی یک بعدی 142
3.1.8 نتیجه گیری 143
3.1.9 مراجع 143

%

میزان رضایت

میزان رضایت افراد خریدار این بسته بعد از خرید

(نظر سنجی به وسیله ایمیل و یک هفته بعد ازخرید بسته انجام می گیرد)

تمام منابع معرفی شده هم به صورت فایل Word و هم به صوت فایل PDF در اختیار شما قرار می گیرد.

تومان35,000افزودن به سبد خرید

0دیدگاه ها

ارسال یک دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *