بسته جامع پژوهشی نانوترانزیستور و کاربرد آن در مدارهای دیجیتال

این بسته پژوهشی مجموعه کاملی از آخرین پژوهش های انجام شده در زمینه نانوترانزیستور و کاربرد آن در مدارهای دیجیتال است. در تدوین این بسته از جدیدترین مقالات و پایان نامه های موجود در این زمینه استفاده شده است. مخاطبان این بسته دانشجویان تحصیلات تکمیلی و پژوهش گرانی هستند که قصد فعالیت در این زمینه دارند.

  • در فصل اول این پژوهش مدل سازی پدیده های مزوسکوپیک در ترانزیستورهای مقیاس نانومتر بررسی شده است
  • در فصل دوم این پژوهش نانوترانزیستور و کاربرد آن در مدارهای دیجیتال بررسی شده است
  • در فصل سوم این پژوهش ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی و بهینه سازی مشخصات ان برای کاربردهای توان پایین در افزاره های نانو بررسی شده است
  • در فصل چهارم این پژوهش طراحی یک تمام جمع کننده کم مصرف مبتنی بر تکنولوژی نانولوله های کربنی بررسی شده است

در شکل ( a7–4 ) ساختار یک ترانزیستور تک الکترونی را نشان داده ایم. مدار معادل الکتریکی آننیز در شکل( b7–4 ) آمده است . برای اینکه بتوانیم مدار معادل الکتریکی یکSET را تحلیل مداری کنیم باید ولتاژهای بایاس آن را در نظر بگیریم. جریانI ، جریان درین به سورس را به صورت یک منبع جریان درنظـر مـی گـیریم و همچنیـن ولـتاژ خازن جزیره نسبت به زمین را یک منبع ولتاژ در نظر می گیریم. در برخیمقـالات بـرایSET دو گیـت در نظـر می گیرند و به تبع آن دو خازن گیت در نظر می گیرند یکی ازگیتها برای کنترل بار زمینه استفاده می شود و دیگر برای عملکرد عادی SET استفاده می شود. در ایـن شـبیه سازی ما مقداری برای خازن گیت دوم درنظر نگرفتیم و همچنین خازن خودی جزیره نسبت بهزمیـن 0C را نـیز صفر درنظر گرفتیم. و مدار را به پنج گره اصلی تقسیم کردیم. شکل (1-6) مدلSpice مارا نشان می دهد.

قسمت هایی از فصل اول مدل سازی پدیده های مزوسکوپیک در ترانزیستورهای مقیاس نانومتر

همانگونه که در شکل 1-2 نشان داده شده است، MOSFET یک افزاره چهار پایانه ای می باشد. پایانـه گیـت و بدنـه بـا هم تشکیل یک خازن را می دهند. گیت توسط یک ماده عایق مثل SiO از Si جدا شده است . ناحیه زیر گیت بین سورس و درین کانال نامیده می شود. در ابتدا فرض می کنیم که بدنه، درین و سـورس دارای پتانسـیل مشـابه باشـند. بـا توجه به مقدار پتانسیل گیت V G ، ولتاژ بین گیت و دیگر پایانه ها مـی توانـد برابـر، کمـتر یـا بیشـتر از ولـتاژ نـوار تخـت V FB شـود در اینصورت کانال در شرایط نوار تحتانباشـتگی ، تخلـیه یـا وارونگـی قرار دارد. ولتاژ نوار تحت تاثیر ولتاژ خارجی است که به گیت و بدنه اعمال مـی شـود تـا کانـال را بـا خنثی کردن پتانسیل اتصال و بارهای طفیلی موجود در اکسید، در حالت خنثی نگهدارد.

فهرست کامل فصل اول مدل سازی پدیده های مزوسکوپیک در ترانزیستورهای مقیاس نانومتر

1-1 ) مدل سازی پدیده های مزوسکوپیک در ترانزیستورهای MOS مقیاس نانومتر

چکیده 6
1.1.1 مقدمه 7
1.1.1.1 مقدمه 8
2.1.1 MOSFETs 11
1.2.1.1 اصول عملکرد 12
2.2.1.1 وابستگی مشخصه الکتریکی MOSFET به دما 20
3.1.1 نتایج تجربی 21
1.3.1.1 مشخصه 22
2.3.1.1 اثر ولتاژ سورس 27
3.3.1.1 اثر میدان مغناطیسی 33
4.1.1 نظریه نوسانات تناوبی 34
1.4.1.1 رسانایی جهش ها و تونل زنی تشدید 35
2.4.1.1 اختلال ضعیف بین سورس و درین 41
3.4.1.1 مدل انتقالی کوانتمی 42
4.4.1.1 سد کولونی در یک تک نقطه 45
5.4.1.1 سد کولونی در نقاط موازی 54
5.1.1 ترانزیستورهای تک الکترونی 56
1.5.1.1 لکترونیک تک ذره ای 57
2.5.1.12 ترانزیستور تک الکترونی 61
3.5.1.1 پلکان کولونی 65
4.5.1.1 مزایا و مشکلات ترانزیستورهای تک الکترونی SET 67
6.1.1 شبیه سازی یک ترانزیستور تک الکترونی SET 69
1.6.1.1 مقدمه 70
2.6.1.1 مدل 70
3.6.1.1 تحلیل مدل 71
6.4.1.1 نتایج شبیه سازی 73
7.1.1 نتیجه گیری و پیشنهادات 81
1.7.1.1 نتیجه گیری 82
8.1.1 آینده و نانوالکترونیک 84
1.8.1.1 آینده و نانوالکترونیک 85

i

ارجاع دهی و رفرنس نویسی

تمام مطالب این بسته مطابق با استاندارد های دانشگاههای وزارت علوم ایران رفرنس دهی شده اند و هیچ قسمتی از بسته وجود ندارد که بدون منبع باشد.

نگارش گروهی

در نگارش و جمع آوری این بسته آموزشی کارشناسان مربوطه ما را همراهی کرده اند.کار گروهی بستر بهتری برای پژوهش فراهم میکند.

<

معرفی منبع برای ادامه پژوهش

در این بسته بیش از 1000 مقاله و منبع در این زمینه معرفی شده است که می توان از آنها برای ادامه مسیر پژوهشی استفاده کرد.

Z

پاسخ به سوالات و پشتیبانی علمی

در قسمت دیدگاه ها  اماده پاسخگویی به سوالات احتمالی شما در حد توان علمی خود هستیم.در صورت نیاز شماره تماس برای ارتباط با محققین برای شما ارسال می گردد.

بخش هایی از فصل دوم نانوترانزیستور و کاربرد آن در مدارهای دیجیتال

علاوه بر ساختار هاي فوق نانو تيوب هاي كربني در دو گروه كلي بصورت تك پوسته اي و چند ديواره اي (چنـد پوسته اي ) دسته بندي مي شوند. نانو تيوبهاي چند ديواره اي از چند استوانه هم مركزكه در داخل هـم قـرار گرفته اند ، تشكيل مي شود. فاصله بين دو پوسته در حدود Α 4/3 و برابر فاصله واندروالـسي دو صـفحه در شبكه كربني گرافيت است. پوسته ها مي توانند از لحاظ كايراليتي با هم اختلاف داشته باشند يا اينكه همه يك نوع كايراليتي داشته باشند . در اغلب موارد بحث در استفاده از نانو تيوب در ساخت ترانزيـستور بـر روي نـانو تيوب هاي تك ديواره متمركز است ، بنابراين در صورتيكه نوع نانو تيوب ذكر نگردد نانو تيوب تـك پوسـته در نظر گرفته مي شود .

فهرست کامل فصل دوم نانوترانزیستور و کاربرد آن در مدارهای دیجیتال

2-1) نانوترانزيستور و كاربرد آن در مدارهاي ديجيتال

چکیده 108
مقدمه 109
1.1.2 کلیات 111
1.1.1.2 هدف 112
2.1.1.2 پيشينه تحقيق 113
3.1.1.2 روش كار و تحقيق 115
2.1.2 نانوتيوبهاي كربني وCNFET 116
1.2.1.2 مقدمه 117
2.2.1.2 ساختار نانو تيوب هاي كربني 117
3.2.1.2 خواص الكترونيكي نانوتيوب هاي كربني 119
4.2.1.2 روشهاي رشد نانو تيوب هاي كربني 124
5.2.1.2 ترانزيستورهاي اثر ميداني با نانوتيوب هاي كربني CNFET 126
6.2.1.2 عرض ترانزيستور نانوتيوب كربني 133
7.2.1.2 ترانزيستورهاي كانال n و p 135
8.2.1.2 مقايسه ترانزيستور CNFET با MOSFET 136
9.2.1.2 قابليت هاي ترانزيستور CNFET در حافظه هاي ROM 137
3.1.2 مدلسازي CNFET 138
1.3.1.2 مقدمه 139
2.3.1.21 ترانزيستورهاي CNFET 140
3.3.1.2 تئوري ترانزيستورهاي CNFET بالستيك 141
4.3.1.2 مدل عددي ترانزيستور CNFET بالستيك 143
5.3.1.2 مدل CNFET بالستيك سازگار با نرم افزارهاي شبيه ساز 148
6.3.1.2 مدل مداري سازگار با HSPICE 159
7.3.1.2 جمع بندي 160
4.1.2 نتايج شبيه سازي 162
1.4.1.2 مقدمه 163
2.4.1.2 بكار گيري مدل ترانزيستور CNFET 164
3.4.1.2 تاثير تغييرات قطر بر خواص ترانزيستور 166
4.4.1.2 مدار معكوس كننده با استفاده از ترانزيستور CNFET 168
5.4.1.2 معكوس كننده CNFET با منطق مكمل 172
6.4.1.2 گيت هاي منطقي با استفاده از ترانزيستور CNFE 173
5.1.2 نتيجه گيري و پيشنهادات 176
1.5.1.21 نتیجه گیری 177
2.5.1.2 پیشنهادات 179

تعداد صفحه بسته آموزشی

تعداد منابع معرفی شده برای ادامه کار

تعداد پشتیبانان مخصوص این فایل

قسمت هایی از فصل سوم ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی و بهینه سازی مشخصات ان برای کاربردهای توان پایین در افزاره های نانو

سازوكار جريان باياس معكوس ديود p-i-n، مبتني بر ساز و كار بازتركيب شاكلي-ريد-هال(SRH) مي باشد. در اين شرايط حامل ها توسط تله هاي موجود در نيمه هادي توليد مي شوند. الكترون بر اثر جذب انرژي ناشي از حرارت مي تواند توسط تله تسخير شده و بعد به باند هدايت پرتاب شود، در نتيجه يك حفره در باند ظرفيت توليد مي شود. به روش ياد شده براي توليد زوج الكترون- حفره، تونل زني به كمك تله (TAT) نيز گفته مي شود (شكل 2-3).
جريان نشت تونل زني بر اثر تونل زني نوار به نوار (BTBT) الكترون ها از سورس به كانال و يا از كانال به درين است.
جريان نشت تونل زني به شدت به ولتاژ VDS وابسته است. زيرا هرچه ولتاژ VDS افزايش يابد، سد مقابل حامل ها كاهش يافته و احتمال تونل زني الكترون ها افزايش مي يابد.

فهرست کامل فصل سوم ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی و بهینه سازی مشخصات ان برای کاربردهای توان پایین در افزاره های نانو

3-1 ) ترانزيستورهاي اثر ميداني تونلي (TFET) و بهينه سازي مشخصات آن براي كاربردهاي توان پايين در افزاره هاي نانو

چکیده 204
مقدمه 205
1.1.3 کلیات 206
1.1.1.3 پيوند n p تحت شرايط باياس معكوس 207
2.1.1.3 افزاره TFET 210
2.1.3 اصول فيزيكي حاكم بر افزاره TFET 212
1.2.1.3 مقدمه 213
2.2.1.3 افزاره TFET 213
3.2.1.3 نشت درين القا شده از گيت GIDL 218
4.2.1.3 بررسي اثرات دما بر عملكرد افزاره TFET 222
5.2.1.3 بررسي عملكرد زير آستانه 223
6.2.1.3 كاربرد TFET در مدارات مجتمع 231
7.2.1.3 خلاصه 239
3.1.3 مشخصات الكتريكي TFET 240
1.3.1.3 مقدمه 241
2.3.1.3 شبيه سازي و مدل هاي به كار رفته 241
3.3.1.3 مشخصه ورودي افرازه 242
4.3.1.3 مشخصه خروجي افرازه 243
5.3.1.3 بررسي آثار كانال كوتاه 245
6.3.1.3 بررسي قابليت حركت حامل ها در افرازه TFET 251
7.3.1.3 كارايي افرازه TFET 252
8.3.1.3 خلاصه 252
4.1.3 بهينه سازي نسبت Ioff/Ion 254
1.4.1.3 مقدمه 255
2.4.1.3 ساختار TFET عمودي 255
3.4.1.3 استفاده از اكسيد با گذردهي بالا در ساختار TFET 266
4.4.1.3 تنظيم نقاب در ساختار TFET 273
5.4.1.3 خلاصه 275
5.1.3 ساختارهاي بديع براي افزايش نسبت Ioff/Ion 277
1.5.1.3 مقدمه 278
2.5.1.3 ترانزيستوراثرميدان تونلي تك گيتي باساختار اكسيد گيت نامتقارن 278
3.5.1.3 ترانزيستور اثرميدان تونلي دوگيتي باساختار اكسيد گيت نامتقارن 290
4.5.1.3 ترانزيستور اثرميدان تونلي تك گيتي بااستفاده ازاكسيد k-Low 293
5.5.1.3 ترانزيستور اثرميدان تونلي دوگيتي با استفاده ازاكسيد k-Low 303
6.5.1.3 نتیجه گیری 306
7.5.1.3 پیشنهادات 306

قسمت هایی از فصل چهارم طراحی یک تمام جمع کننده کم مصرف مبتنی بر تکنولوژی نانولوله های کربنی

ساختار افزاره برای یک ترانزیستور بدون پیوند نوع nکه در این مقاله مورد شبیهسازی و بررسی قرار گرفته، در شکل(1) نشان داده شدهاست. در این ساختار از یک نانولولهی تکجداره زیگزاگ n=11با آلایش زیاد برای نواحی سورس، کانال و درین استفاده شده است. تعداد ناخالصی بر هر اتم موجود در نانولوله 7/8 ×11 -1 میباشد. از HfO2 به ضخامت 2 nm به عنوان اکسید گیت با r=11 و از فلزی با تابع کار نانولوله برای الکترودهای گیت، سورس و درین استفاده شده است. گیت ترانزیستور به صورت کواکسیال در نظر گرفته میشود. طول افزاره 54 nm و طول کانال 14 nm میباشد

فهرست کامل فصل چهارم طراحی یک تمام جمع کننده کم مصرف مبتنی بر تکنولوژی نانولوله های کربنی

4-1 ) طراحی و شبیهسازی گیت وارونگر پنجارزشی (SPI) جدید مبتنی بر ترانزیستور های نانولوله کربنی

1.1.4 خلاصه 313
2.1.4 مقدمه 313
3.1.4 طراحی MVL با بار منبع جریان ودیودی 314
4.1.4 ارائه روش پیشنهادی 316
5.1.4 بررسی و مقایسه تاخیر انتشار و توان مصرفی 319
6.1.4 بررسی حاشیه نویز 321
7.1.4 نتیجه گیری 322

4-2 ) طراحی یک تمام جمع کننده کم مصرف مبتنی بر تکنولوژی نانولوله های کربنی

1.2.4 خلاصه 324
2.2.4 مقدمه 324
3.2.4 ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانولولههای کربنی CNFETs 324
4.2.4 مروری بر مدارهای جمع کننده موجود 325
5.2.4 تمام جمع کنندهی پیشنهادی 329
6.2.4 نتایج شبیه سازی 331
7.2.4 نتیجه گیری 333

4-3 ) ارائه مدار معادل یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله ای کربنی به منظور استفاده در شبیه سازی

1.3.4 خلاصه 336
2.3.4 مقدمه 336
3.3.4 بررسی مدل ارائه شده 337
4.3.4 نتایج و شرح آنها 340
5.3.4 نتیجه گیری 342

4-4 ) بهبود حاصلضرب تأخیر در مصرف توان در تسهیمکننده چندمقداری با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی

1.4.4 چکیده 344
2.4.4 مقدمه 344
3.4.4 تسهیم کننده CNT برای محاسبات چند مقداری 346
4.4.4 طراحی تسهیم کننده با CNTFET و شبیه سازی 347
5.4.4 نتیجه گیری 348

4-5 ) تحلیل و بررسی ترانزیستورهاي اثر میدانی بدون پیوند ماسفتی مبتنی بر نانولوله کربنی

1.5.4 چکیده 349
2.5.4 مقدمه 350
3.5.4 ساختار افزاره و روش شبیه سازی 350
4.5.4 نتایج شبیه سازی و بحث 351
5.5.4 نتیجه گیری 358

4-6 ) طراحی مالتی پلکسر مبنای 3 با ترانزیستورهای نانو لوله کربنی

1.6.4 چکیده 359
2.6.4 مقدمه 359
3.6.4 ترانزیستورهای نانو لوله کربنی CNTFET 359
4.6.4 منطق 3 مقداری 360
5.6.4 مالتی پلکسرمبنای 3 با ترانزیستورهای نانو لوله ای کربنی 361
6.6.4 نتایج شبیه سازی 363
7.6.4 نتیجه گیری 364

4-7 ) معرفی یک تمام جمع کننده برگشت پذیر در سیستم نانو لوله ی کربنی

1.7.4 چکیده 365
2.7.4 مقدمه 365
3.7.4 مدار های برگشت پذیر 366
4.7.4 جمع کننده برگشت پذیر پیشنهادی 368
5.7.4 نتیجه گیری 373

4-8 ) بررسی ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانو لوله های کربنی (CNFET) در مدارات فرکانس بالا و مقایسه با انواع دیگر ترانزیستور ها

1.8.4 خلاصه 375
2.8.4 مقدمه 376
3.8.4 ساختار الکترونی نانولوله های کربنی 376
4.8.4 ساختمان فیزیکی و عملکرد ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی 376
5.8.4 جریان درین از دید تئوری 379
6.8.4 نتیجه گیری 381

4-9 ) مطالعه عددی اثر کرنش تک محوری بر مشخصات الکتریکی ترانزیستور های بدون پیوند مبتنی بر نانو لوله کربنی

1.9.4 چکیده 383
2.9.4 مقدمه 383
3.9.4 ساختار افزاره و روش شبیه سازی 384
4.9.4 نتایج و بحث 385
5.9.4 نتیجه گیری 392

4-10 ) بهبود عملکرد دی مالتی پلکسر به کمک فن آوری ترانزیستور نانو لوله کربن

1.10.4 چکیده 395
2.10.4 مقدمه 395
3.10.4 نانولوله های کربنی 396
4.10.4 دی مالتی پلکسر 397
5.10.4 روش پیشنهادی 398
6.10.4 نتایج شبیه سازی 398
7.10.4 نتیجه گیری 399

%

میزان رضایت

میزان رضایت افراد خریدار این بسته بعد از خرید

(نظر سنجی به وسیله ایمیل و یک هفته بعد ازخرید بسته انجام می گیرد)

تمام منابع معرفی شده هم به صورت فایل Word و هم به صوت فایل PDF در اختیار شما قرار می گیرد.

تومان35,000افزودن به سبد خرید

0دیدگاه ها

ارسال یک دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *